中国超盛电子的 AI 算力服务器 PCB 技术,以高多层 HDI、超大尺寸、低损耗、高散热、高精度为核心,专为 AI 大模型训练 / 推理、数据中心、GPU 集群等高算力场景打造,可稳定量产28–40 层高阶 PCB,支持3000×1100mm超大尺寸,满足 AI 服务器对高速信号、大电流、高可靠的严苛要求。
一、核心技术定位与能力
产品定位:AI 算力服务器主板、GPU 背板、高速交换板、高密度互连(HDI)板、高功率电源板。
层数能力:稳定量产28–40 层,支持任意阶 HDI(1+n+1/2+n+2)与埋盲孔堆叠。
尺寸极限:加工尺寸3000×1100mm,适配大型服务器背板与多 GPU 集群板。
材料体系:采用高 TG(≥170℃)、低 DK/Df高速基材(如 M9、RO4350B)、***粗糙度铜箔(HVLP),保障 10GHz + 信号低损耗传输。
认证体系:通过 IPC-6012 Class 3、UL、***、IATF16949,适配工业级与数据中心可靠性要求。
二、关键工艺与技术突破
1. 高多层精密压合(28–40 层)
叠层设计:采用对称 / 非对称混压结构,优化阻抗与散热,层间介质厚度控制在50–100μm。
压合工艺:真空层压机 + 分段控温(180–200℃)+ 精准压力控制,层间对位精度 **±5–10μm**,无分层、无气泡、翘曲度 **≤0.1%**。
热管理:嵌入厚铜平面(2–6oz)、金属基散热层,配合 VC 均热板布局,解决 AI 芯片高功耗散热难题。
2. 激光盲埋孔与微钻技术
最小孔径:激光盲孔50–80μm,机械通孔100μm,纵横比 **≥12:1**。
电镀填孔:脉冲电镀 + 填孔药水,实现盲孔*** 填满,孔壁铜厚均匀(15–25μm),无空洞、无虚镀,保障层间互联可靠性。
背钻工艺:高精度背钻(深度公差 **±10μm**),去除 stub 残桩,降低信号反射,提升高速链路带宽。
3. 精细线路与高密度布线
线宽 / 线距:LDI 激光直接成像,量产稳定2–3mil(50–75μm),支持0.4mm pitch BGA扇出。
阻抗控制:TDR 实时校准,单端阻抗公差 **±3%,差分对匹配度>98%**,保障 PCIe 5.0/6.0、DDR5 等高速接口信号完整性。
大电流设计:功率层采用2–6oz 厚铜,线宽≥0.2mm,满足 AI 芯片 **100A+** 瞬时大电流需求,压降<50mV。
4. 表面处理与可靠性
主流工艺:化学镍金(ENIG)、电镀硬金、OSP,其中 ENIG 适合细间距 BGA,平整度高、焊接性优。
可靠性保障:
冷热冲击(-40℃~125℃,1000 循环)无分层、无开裂。
CAF(导电阳极丝)防护,提升高湿环境长期稳定性。
离子污染测试、X-Ray 盲孔检测、AOI + 飞针全检,良率 **>95%**。
5. 超大尺寸加工能力
专用产线:定制大尺寸曝光、蚀刻、压合、检测设备,支持3000×1100mm整板加工,无需拼接。
张力与变形控制:全程伺服张力闭环,大尺寸板翘曲控制 **≤0.15%**,满足服务器整机装配精度要求。
三、核心技术参数(AI 服务器 PCB 典型)
| 项目 | 指标 |
|---|---|
| 层数 | 40 层 |
| 尺寸 | 3000×1100mm |
| 最小线宽 / 线距 | 2mil/2mil(50μm/50μm) |
| 最小盲孔孔径 | 50μm |
| 层间对位精度 | ±5–10μm |
| 阻抗公差 | ±3%(单端 / 差分) |
| 铜厚规格 | 0.5–6oz(17.5–210μm) |
| 基材 TG | ≥170℃ |
| 信号频率 | 支持 10GHz + 高速链路 |
| 翘曲度 | ≤0.1%(40 层) |
| 良率 | >95% |
四、技术优势与应用场景
核心优势
高速低损:低 DK/Df 材料 + 精细工艺,信号损耗比行业标准低30%+,适配 AI 集群高速互联。
高密集成:40 层 HDI + 微盲孔,单位面积布线密度提升50%,支持多 GPU/ASIC 芯片高密度布局。
大电流承载:厚铜平面 + 优化电源分配,满足 AI 芯片 **100A+** 大电流,供电稳定无压降。
超大尺寸:3000mm 整板加工,减少拼接,提升系统可靠性与散热效率。
高可靠:严苛可靠性测试,适配数据中心 7×24 小时连续运行,MTBF>100 万小时。
典型应用
AI 训练 / 推理服务器(NVIDIA H100/H200、AMD MI300、华为昇腾等)
数据中心高速交换背板、GPU 集群互联板
超算中心、智算中心核心算力板
自动驾驶域控制器、边缘计算服务器

