单晶SiC以第三代半导体材料而被大家熟知，其具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高以及电子饱和速度高等优点。

通过在SiC中添加少量的BeO和B2O3来增加其电阻率，再添加相应的烧结助剂在1900℃以上的温度中使用热压烧结，即可制备出致密度达98%以上的SiC陶瓷。采用不同的烧结方法、烧结助剂制备出的不同纯度的SiC陶瓷，其室温下热导率为100～490W/(m·K)。由于SiC陶瓷的介电常数非常大，因而其只适合低频应用，并不适合高频应用。